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電容損耗角正切值 (tanδ) 對電路性能的影響

時間:2025-06-10 11:15:07 作者:合通泰 點擊:

電容作為電路中的儲能元件,實際使用中并非理想狀態,存在能量損耗。損耗角正切值 (tanδ) 是衡量電容損耗的關鍵指標,直接關系到電路性能,尤其在高頻和高精度應用中。

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電容損耗主要源于介質損耗和等效串聯電阻 (ESR)。介質損耗由電介質材料在交變電場下的極化引起,ESR則來自電極材料、引線及電介質電阻。tanδ 綜合反映了這兩種損耗,數值越大,損耗越高。


在高頻電路中,tanδ 增加會加劇電容阻抗隨頻率的變化,影響電路頻率響應。在信號傳輸中,電容損耗會引起信號衰減,降低信號質量。在功率電路中,損耗轉化為熱能導致器件升溫,影響電路可靠性。在精密測量中,電容損耗會引入誤差,降低測量精度。


因此,電路設計應根據具體需求選擇合適電容,保證電路正常工作。對于高頻、高精度和功率應用,選擇低 tanδ 值的電容至關重要。



 
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